武汉新瑞科电子科技有限公司成立于2000年，有着二十多年功率半导体的销售经验,专注于通用/高压变频器、矿用变频器、SVG/APF电能质量,电源、电磁加热/感应加热、机车牵引、电网输配电、风力发电、光伏发电、、电动汽车等新能源行业应用。我司提供强大的技术支持,常备大量库存，欢迎选购。13429930370程女士。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。